(2018年12月12日 10:00〜11:30)
エポキシ樹脂は電子デバイスにおける各種絶縁材料として用いられているが、要求特性のレベルは年々高まっており、例えば半導体パッケージ材料やSiC半導体材料の分野では、相反する諸特性を維持しつつ、優れた耐熱性を発現することが求められている。 本発表では、エポキシ樹脂の分子構造と耐熱性の関係、耐熱性と相反関係にある特性を示し、これらを両立する分子設計について解説するとともに、DICが近年開発した高耐熱エポキシ樹脂を特性とあわせて紹介する。
(2018年12月12日 12:10〜13:40)
発熱密度の増加に伴い、熱対策分野はこれまで以上に重要になっており、シリコンに代わるGaNやSiCなどの素子も本格的に展開されようとしています。 基板やヒートスプレッダーは、従来の素材構成で解決できない場面も増えていると思います。 今回、高熱伝導性のグラファイトを中心に、熱対策部品に用いられようとしている素材を広く紹介し、基本的な材料選定から部品化までの一連の要素技術やその評価手法などを説明する予定です。
(2018年12月12日 13:50〜15:20)
パワー半導体を用いたシステムの信頼性確保は重要な課題となっている。特にパワー半導体は温度管理の観点から、放熱システムが重要となる。特に接合層および半導体チップにかかる応力分布を知ることで高信頼設計に結びつくものと考えられる。 本講座では有限要素法を用いたマルチフィジックスソルバーにより信頼性評価につながる解析例を紹介する。
(2018年12月12日 15:30〜17:00)
最新のパワーエレクトロニクスは地球環境対策や電力消費量削減に貢献する技術であり、我が国が世界をリードできる分野である。 さらに、今後の成長が期待されているIoT、AI (人工知能) 、ロボティクス、および航空・宇宙といった先進分野においてもパワーエレクトロニクス技術が必要不可欠である。パワーエレクトロニクス機器の中核デバイスであるパワー半導体においてはこれら先進分野に対応するためSiCやGaNなどの新たな材料を用いたデバイスの適用が始まっている。 本講座では、これら新デバイスを見据えたパワー半導体モジュールの高耐熱化と高放熱化を実現するパッケージについて紹介する。