CMP技術の基礎

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本セミナーでは、半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。
さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーのあるべき姿を考察する。

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プログラム

CMPがデバイスの製造工程に用いられるようになって、すでに四半世紀が経過した。当初はゲテモノ扱いされていたCMPも今やなくてはならないキープロセスとなっている。半導体デバイス製造における様々なCMP工程の特徴を紹介し、それに用いられる装置、スラリー、パッドの詳細を解説する。さらに、CMPによる材料除去のメカニズムについて様々なモデルを紹介し、そこからパッドやスラリーのあるべき姿を考察する。

  1. CMP装置
    1. CMP装置の構成
    2. ヘッド構造
    3. 終点検出技術
    4. APC
  2. CMPによる平坦化
    1. CMPによる平坦化工程の分類
    2. 平坦化メカニズム
  3. CMP消耗材料
    1. 各種スラリーの基礎
    2. 砥粒の変遷
    3. 添加剤の役割
    4. スラリーの評価方法
    5. 研磨パッドの基礎
    6. 研磨パッドの評価方法
    7. コンディショナーの役割
  4. CMPの応用
    1. CuCMPの詳細
    2. 最新のトランジスタCMP工程
    3. 各種基板CMP
    4. CMPのプロセス評価方法
  5. CMPの材料除去メカニズム
    1. 研磨メカニズムモデルの歴史
    2. 新しいモデル~Feret径モデル
    3. Feret径モデルの数値検証
    4. Feret径モデルに基づく開発のヒント
    5. パッド表面状態のマクロモデルによるドレス効果の表現
  6. まとめ

会場

大田区産業プラザ PiO
144-0035 東京都 大田区 南蒲田1-20-20
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受講料

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