レジスト・微細加工用材料への要求特性と最新技術動向

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本セミナーでは、最新の学会発表、論文、特許、業界動向等に基づき、レジスト・微細加工用材料の現状・動向と要求特性、今後の展望について解説いたします。

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プログラム

デバイスの最小加工寸法が10nmに近づくにつれてリソグラフィのレジスト、微細加工用材料に求められる性能、要求はますます大きくなっている。現在先端の生産で用いられているダブル/マルチパターンニング用材料の高性能化、EUVリソグラフィの実用化を促進する高解像度・小ラフネス・高感度のレジストの開発、EUVリソグラフィと併用が期待される自己組織化 (DSA) リソグラフィの高解像度ブロックコポリマーの要求等、デバイス開発のキーテクノロジーとなっている。  本講演では最新の学会発表、論文、特許、業界動向等に基づいて、レジスト、微細加工用材料の現状・動向と要求特性、今後の展望について述べる。

  1. はじめに
    1. リソグラフィ、レジストの基本
    2. デバイスのロードマップとリソグラフィ/レジストへの要求特性
  2. 液浸リソグラフィ用レジスト
    1. 液浸リソグラフィ/レジストの基本と課題
    2. 液浸リソグラフィ用レジストへの要求特性
    3. 最新の液浸リソグラフィ用レジスト/トップコート
  3. ダブル/マルチパターニング用材料
    1. ダブル/マルチパターニングの基本と課題
    2. リソーエッチ (LE) プロセス用材料
    3. セルフアラインド (SA) プロセス用材料
  4. EUVレジスト
    1. EUVリソグラフィの基本
    2. EUVレジストの基本
    3. EUVレジストへの要求特性と課題
    4. 最新のEUVレジスト
      1. 分子レジスト
      2. ネガレジストプロセス用材料
      3. ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
      4. 無機/メタルレジスト
  5. 自己組織化 (DSA) リソグラフィ用材料
    1. 自己組織化リソグラフィの基本と課題
    2. グラフォエピタキシー用材料
    3. ケミカルエピタキシー用材料
    4. 最新の高χ (カイ) ブロックコポリマー
  6. ナノインプリント用材料
    1. ナノインプリントの基本と課題
    2. 加圧方式ナノインプリント用材料
    3. 光硬化式ナノインプリント用材料
  7. 今後の技術展望

会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん
140-0011 東京都 品川区 東大井5丁目18-1
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受講料

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