デバイスの最小加工寸法が10nmに近づくにつれてリソグラフィのレジスト、微細加工用材料に求められる性能、要求はますます大きくなっている。現在先端の生産で用いられているダブル/マルチパターンニング用材料の高性能化、EUVリソグラフィの実用化を促進する高解像度・小ラフネス・高感度のレジストの開発、EUVリソグラフィと併用が期待される自己組織化 (DSA) リソグラフィの高解像度ブロックコポリマーの要求等、デバイス開発のキーテクノロジーとなっている。
本講演では最新の学会発表、論文、特許、業界動向等に基づいて、レジスト、微細加工用材料の現状・動向と要求特性、今後の展望について述べる。
- はじめに
- リソグラフィ、レジストの基本
- デバイスのロードマップとリソグラフィ/レジストへの要求特性
- 液浸リソグラフィ用レジスト
- 液浸リソグラフィ/レジストの基本と課題
- 液浸リソグラフィ用レジストへの要求特性
- 最新の液浸リソグラフィ用レジスト/トップコート
- ダブル/マルチパターニング用材料
- ダブル/マルチパターニングの基本と課題
- リソーエッチ (LE) プロセス用材料
- セルフアラインド (SA) プロセス用材料
- EUVレジスト
- EUVリソグラフィの基本
- EUVレジストの基本
- EUVレジストへの要求特性と課題
- 最新のEUVレジスト
- 分子レジスト
- ネガレジストプロセス用材料
- ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
- 無機/メタルレジスト
- 自己組織化 (DSA) リソグラフィ用材料
- 自己組織化リソグラフィの基本と課題
- グラフォエピタキシー用材料
- ケミカルエピタキシー用材料
- 最新の高χ (カイ) ブロックコポリマー
- ナノインプリント用材料
- ナノインプリントの基本と課題
- 加圧方式ナノインプリント用材料
- 光硬化式ナノインプリント用材料
- 今後の技術展望