酸化ガリウムパワーデバイスの概要、開発動向

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会場 開催

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開催予定

プログラム

  1. はじめに
    1. Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
    2. 将来的なGa2O3デバイスの用途
  2. Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
    1. 単結晶バルク融液成長
    2. 単結晶Ga2O3ウェハー
  3. Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
    1. オゾンMBE成長
    2. プラズマMBE成長
    3. HVPE成長
  4. Ga2O3トランジスタ開発
    1. 横型MESFET
    2. 横型DモードMOSFET
    3. 横型フィールドプレートMOSFET
    4. 横型EモードMOSFET
    5. 縦型DモードMOSFET (CAVET)
    6. 海外のGa2O3トランジスタ開発動向
  5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
    1. HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
    2. 縦型フィールドプレートSBD
  6. まとめ、今後の課題

会場

ちよだプラットフォームスクウェア
101-0054 東京都 千代田区 神田錦町3-21
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