本セミナーでは、原子層エッチングのメカニズムから最先端の原子層エッチング開発事例まで、第一線の講師陣が解説いたします。
(2018年3月26日 10:30〜12:30)
(2018年3月26日 13:15〜14:45)
原子層エッチングは、次世代の微細な三次元構造を持つ半導体集積回路を開発、製造する際に必要となる技術である。モノのインターネット (IoT) の普及により、データ処理を担う半導体集積回路の微細化/三次元化は益々進んでおり、最小加工寸法が10ナノメートルを切る今後の半導体製造プロセスには、原子層レベルの制御性でエッチングする技術が求められている。 本講座では、プラズマを用いた原子層エッチング技術について、半導体デバイスのトレンドからエッチング反応の原理、表面原子層反応の制御、エッチング装置、そして最先端の原子層エッチング開発事例までを、メーカのエッチング技術開発の現場にいる講師が、実経験を交えながら分かり易く解説する。
(2018年3月26日 15:00〜16:30)
近年、デバイスの微細化に伴い、原子層エッチングが再び注目されている。超低エネルギーかつ高密度のエネルギーを表面に付与するガスクラスターイオンビーム (GCIB) は、単原子・分子では実現できない特有の照射効果を示すが、この特有の照射効果を、表面に吸着した分子との反応促進や脱離効果に用いることにより、低温かつ低損傷での原子層エッチングが可能となる。 本講座では、GCIBを利用した難加工材料の原子層エッチングやその原理・応用について紹介する。