2018年 EUVリソグラフィ技術 最新概論と日本企業の商機

EUV光源開発の遅れから、延び延びとなっていた極端紫外線露光 (EUVL) を用いたデバイス試作が2018年度から本格化する状況になってきた。理由はレーザープラズマ光源の出力が250Wに届き、スループット180枚が見えてきた事。また、IBM等が2015年にEUVL露光により7nmノードのFinFETトランジスターの試作、さらに、今年度5nmノードのナノシートトランジスターの試作に成功するなど、スマートフォンのほか、AI活用といったコグニティブコンピューティングなどIoT社会に向けて要求を満たす開発が待望されている。 　EUVLはレーザープラズマ光源、反射縮小光学系、反射型マスク、ペリクル、レジストなど既存のArF技術とは異なる技術となり、7nmノードでは対応する技術が出来つつあるが、5nm以下ではさらなる新技術の開発も必要となる。これらの開発要素技術に関する知見が得られると考えている。 　国内でのEUVLを用いたデバイス開発は考えにくく、むしろ、光源廻り、照明光学系など装置系、マスク、レジスト、ペリクルなど薄膜技術、デブリー除去技術などインフラ系に商機があると考えられる。講演会では、出来るだけ要点を絞り、分かり易く解説する。 　本講演では、EUVL開発の現状と今後に必要となる要素技術について詳述する。

1. はじめに
   1. EUVLの概要
   2. なぜEUVLか?
   3. なぜ13.5nmか?
   4. EUVLを用いた7nm,、5nmトランジスターの試作の概要
   5. CoO比較など
   6. EUVLの今後の課題
2. EUV光源
   1. 光源の要求条件
   2. LPP光源の現状と課題
3. 多層膜技術
   1. 多層膜の概要
   2. 多層膜の設計法
   3. 多層膜の成膜技術
   4. 多層膜の評価
4. 反射縮小光学系
   1. 反射光学系の要求条件
   2. 反射光学系の設計法
   3. ミラーの加工法と評価
   4. ミラー光学系の合わせ法
5. 反射型マスク
   1. マスクの要求条件
   2. マスクの構造
   3. マスクの製作法
6. EUVマスク欠陥検査
7. EUVL用レジスト
   1. EUVLレジストの要求条件
   2. 化学増幅レジストの現状
   3. 無機レジスト等最近のレジスト開発状況
8. EUVLペリクル
   1. EUVペリクルの要求条件
   2. EUVペリクルの開発の現状
9. 最近の装置開発の現状と今後の課題
• 質疑応答・名刺交換