SiC、GaNと比較して高耐圧・低消費電力、低コスト化が期待される酸化ガリウムパワーデバイスについて、その材料とデバイスの基礎から最先端の開発状況を、当該技術を主導する2名の講師が解説します。
第1部 酸化ガリウムパワーデバイスの研究・開発動向
(2017年12月8日 12:30~15:30)
酸化ガリウム (Ga2O3) は、次世代パワーデバイス用途の新半導体材料として期待されるに足る、優れた材料物性を有する。また、原理的に大口径かつ高品質な単結晶基板を、融液成長法により安価かつ簡便に作製することができるという、産業上の大きな魅力も合わせ持つ。
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ、魅力、現在までの研究開発状況、課題などについて解説する。
- はじめに
- Ga2O3の材料的特徴 (SiC, GaNとの比較から)
- 将来的なGa2O3デバイスの用途
- Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
- 単結晶バルク融液成長
- 単結晶Ga2O3ウェハー
- Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
- オゾンMBE成長
- プラズマMBE成長
- HVPE成長
- Ga2O3トランジスタ開発
- 横型MESFET
- 横型DモードMOSFET
- 横型フィールドプレートMOSFET
- 横型EモードMOSFET
- 縦型DモードMOSFET (CAVET)
- 海外のGa2O3トランジスタ開発動向
- Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
- HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
- 縦型フィールドプレートSBD
- まとめ、今後の課題
第2部 コランダム構造酸化ガリウム (α-Ga2O3) 半導体の特性とデバイス応用
(2017年12月8日 15:40~16:40)
本講座は、新しいパワーデバイス材料として注目を浴びている酸化ガリウム、特に最近目覚ましく開発が進んでいるα-Ga2O3の物性とデバイス開発について講義する。α-Ga2O3 SBDは世界最小のオン抵抗値を示すだけでなく、デバイス作製のコストがSi SBD並みに低い。さらにp型半導体α-Ir2O3と良好な半導体接合を形成出来、次世代のバイポーラトランジスタとしても大変ホットな材料である。
- コランダム構造酸化ガリウム (α-Ga2O3) の基礎
- α-Ga2O3 研究の歴史 (最初の発見から作製の歴史)
- α-Ga2O3の物性と特徴
- パワーデバイス材料としてのα-Ga2O3の利点
- α-Ga2O3の作製方法
- 粉体作製
- 薄膜作製 (ミストCVD法)
- バルク (自立膜) 作製 (MIST EPITAXY ® 法)
- α-Ga2O3を用いたパワーデバイス応用
- 高品質α-Ga2O3 薄膜の作製
- α-Ga2O3の構造評価
- α-Ga2O3の導電性制御
- コランダム構造酸化物混晶 α-(Al,Ga,In) 2O3による積層構造の作製
- コランダム構造 α-Ga2O3 自立基板を用いたSBDの作製
- MIST EPITAXYR法によるα-Ga2O3自立膜の作製と構造評価
- α-Ga2O3-SBDのデバイス特性
- 新しいp型半導体酸化ロジウム (α-Rh2O3) と酸化イリジウム (α-Ir2O3)
- α-Rh2O3のキャリア密度低減手法
- α-Ir2O3の構造評価と電気特性
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