パワーデバイスは、省エネルギーの決め手となる半導体素子であり、商用電源からの電気を必要最小限の電力に調節するためのコンバータやインバータに多用されている。その使用範囲は広く、自動車、発電・送電等の産業機器、エアコン等の家電機器、電車・船舶等にわたる。究極の省エネ技術としてSiCやGaNの次世代デバイスの適用が始まっているが、300℃以上でも動作可能であるこれらのデバイスを活用するために、高温に耐える実装技術開発が必須となっている。
材料技術開発の現状と評価及び将来方向について解説する。
- パワーデバイスモジュールの市場及び技術動向
- 次世代パワーデバイスSiC、GaNの性能と応用
- SiC等大電流パワーモジュール用実装材料評価プロジェクトKAMOME-I
- SiC等大電流パワーモジュール用実装材料開発・評価支援プロジェクトKAMOME-II
- 大型SiCチップを用いてTCTとPCTを実施と提供材評価
- SiC等・高Tjパワーモジュール用実装材料開発支援プロジェクト KAMOME-III
- 実用機に向けて実装材料を仕上げるための実用データ採取と試験法の確立
- パワーサイクルテスト (PCT) とサーマルサイクルテスト (TCT)
- 評価用簡易パッケージ、簡易モジュールを用いた評価
- 次世代パワーデバイス用耐熱性封止材料の性能と課題
- 耐熱性、熱膨張率、熱伝導率と封止用樹脂の設計
- 相互反応及び変性を利用した耐熱性樹脂の可能性
- エポキシ樹脂
- ベンゾオキサジン樹脂
- ビスマレイミド樹脂
- シアネートエステル樹脂
- 空冷も加味した大電流パワーモジュール材料開発支援ニュープロジェクト