本セミナーでは、様々な薄膜の作製を可能にするミストCVD法の基礎知識と今後の展望を解説いたします。
日時
- 2017年12月12日 12時30分〜 2017年12月12日 16時30分
開催予定
プログラム
大気圧下で大面積にわたり高品質な機能膜を形成するための技術として開発してきたミストCVDに関して、経緯、歴史、作製膜の特性、デバイス、ミストCVDに関する物理、次世代へ向けた開発の方向性等、詳しく説明します。
- 第1部 ミストCVD技術の開発初期
- 緒言
- 自己紹介
- 高知工科大学について
- 総合研究所について
- 機能膜作製技術の現状とこれからの開発ポイント
- どういった物に利用されているのか
- それらを作製するシステムの大きさやコストについて
- 省エネプロセスの必要性とそれが達成されない理由
- 大気圧下で対象とする機能膜を形成する為のポイント
- ミストを利用した機能膜形成技術「ミストCVD」の特徴
- ミスト法とは
- 一般の成膜法とミストCVD法の立場
- 超音波噴霧を利用した機能膜形成技術の歴史
- 原料供給手段に超音波噴霧を利用する利点
- 各種液滴の発生法
- 一般環境下で薄膜を形成するために適した液滴発生法とは
- ミスト流を用いた機能膜作製システムの装置群
- ミスト流を用いた機能膜作製システム群
- 原料供給器
- 成膜反応装置周囲の基本システム
- ミストCVDの物理1
- 均質膜を作製する為の3つの手段
- 液滴のライデンフロスト状態
- 緒言
- 第2部 ミストCVD技術の応用と発展
- ファインチャネル (FC) システムvsホットウォール (HW) システム
- 解析構造・条件
- 結果
- ミストCVDで作製出来る機能膜
- これまでに形成できた薄膜種
- 酸化亜鉛系 (ZnO)
- 酸化ガリウム系 (Ga2O3)
- 酸化アルミニウム (AlOx)
- 酸化インジウムガリウム亜鉛 (IGZO)
- 有機膜
- 層状硫化モリブデン (MoS2)
- その他
- ミストCVDで作製したデバイス
- 大気圧手法により作製された酸化物TFTの現状
- ミストCVDによるIGZO TFTの作製
- 特性および最適化
- 組成比による特性の差
- ミストCVDによる量子素子の作製とその特徴
- 大気圧下で量子井戸が形成できる理由
- 作製した量子井戸の特徴
- ミストCVDの物理2
- ミスト同士は衝突しない
- 複合反応の抑制
- 組成制御技術
- まとめ
- まとめ
- ミストCVDの可能性
- ファインチャネル (FC) システムvsホットウォール (HW) システム
- 質疑応答・名刺交換
会場
受講料
- 1名様: 38,000円(税別) / 41,800円(税込)
- 複数名: 20,000円(税別) / 22,000円(税込)
複数名同時受講の割引特典について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 20,000円(税別) / 21,600円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 38,000円(税別) / 41,040円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 40,000円(税別) / 43,200円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 60,000円(税別) / 64,800円(税込)
- 受講者全員が会員登録をしていただいた場合に限ります。
- 同一法人内(グループ会社でも可)による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。 - 他の割引は併用できません。