本セミナーでは、次期iPhoneで話題のMSAPについて、基礎から最新動向、可能性について解説いたします。
また、30μm L/S以下を目指したプロセス技術、関連部材の開発動向と課題を解説いたします。
日時
- 2017年11月28日 10時30分〜 2017年11月28日 16時30分
プログラム
第1部 MSAP工法向けダイレクトイメージング技術
(2017年11月28日 10:30〜12:10)
次世代に求められる高周波、高速応答性の要望に基づき、高精度かつコスト競争力があるとされるMSAP工法が採用されつつある。本稿では、胴体形成精度のカギを握る露光プロセス装置の技術、プロセスを述べる。またプリプロセスとしてのエッチングファクターも考えたCAMの役割、およびポストプロセスとして、胴体形成の品質精度の確認を行う画像検査装置 (AOI) と導体欠陥の修正装置 (AOS) を加えて説明する。
- MSAP用途の市場概観
- 回路形成プロセス概要とMSAPプロセスの課題
- CAMの役割
- 回路形成用ダイレクト露光装置のご紹介
- 外観検査装置 (AOI) と欠陥修正装置 (AOS) のご紹介
- まとめと次に向けての課題
- 質疑応答
第2部 エッチングの基礎とMSAPによる微細銅回路形成の可能性
(2017年11月28日 13:00〜14:40)
溶解現象を論じる上で、速度を決定している過程を知り、制御することが重要であり、本講演ではそのことを踏まえ、固-液系溶解反応について、速度論的立場から説明を行う。
- 固-液系溶解反応の基礎
- 溶解プロセスの考え方
- 溶解速度の律速段階
- 溶解速度の考え方
- 銅溶解工程を含む微細回路形成
- サブストラクティブ法
- セミアディティブ法
- MSAP法
- 各プロセス中のエッチングに対する速度論的研究例
- サブストラクティブ法
- セミアディティブ法
- MSAP法
- 今後の展望
- 質疑応答
第3部 MSAP用回路形成エッチングプロセス
(2017年11月28日 14:50〜16:30)
近年、電子機器に搭載されるプリント配線板は、小型・薄型・高密度化に向け、配線の更なるファインピッチ化が要求されている。それに伴い、非回路部をエッチング除去するサブトラクティブ法に対し、必要な箇所にのみ電解銅めっきにて配線を形成する Semi-Additive Process (SAP) がより微細な配線形成には有利である。その中でも近年はMSAPが注目されており、微細配線形成にはSAPに劣るものの、サブトラクティブ法よりもファインピッチ化が可能な事により、スマートフォンに搭載されるマザーボードへの展開が進められている。 本講演では、MSAPの中でもエッチングプロセスに焦点を当て、基本的な技術から不良や解決策、弊社の新プロセスなどを交ぜて紹介する。
- はじめに
- 電子回路基板について
- MSAPの現状と対応
- MSAPプロセスの概要
- シード層形成
- ドライフィルムラミネート前処理
- ドライフィルム露光・現像
- 電解銅めっき
- ドライフィルム剥離
- MSAP用回路形成におけるエッチングプロセス
- MSAP回路形成に要求されること
- 回路形成に向けたエッチングプロセス
- MSAP用回路形成エッチングにおける課題と対策
- 不良および原因
- 対策
- 弊社提案新プロセス
- MSAPに関わるその他のエッチングプロセス
- まとめ
- 質疑応答
会場
受講料
- 1名様: 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
- 複数名: 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 50,000円(税別) / 54,000円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 59,400円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 108,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 162,000円(税込)
- 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 他の割引は併用できません。