原子層堆積法 (ALD) の原理、反応機構と成膜技術

第1部 ALDプロセスの反応機構とプロセス最適化の基礎

(2017年9月25日 10:00〜12:30)

　Atomic Layer Deposition (ALD,原子層堆積法) は,ULSI – MOSトランジスタのゲート絶縁膜,DRAMのメモリキャパシタなどの作製に実用化され,ガスバリヤコーティングや表面処理などへの応用もなされている。本講演では,ALDプロセスの歴史的展開からその原理,反応機構,プロセス最適化の指針などについて基礎的な事項を中心に取り扱う。また,近年注目を集めているALEt (Atomic Layer Etching) についても最近の技術動向を紹介する。

1. ALDプロセス概論
   1. ALDプロセスの原理と歴史的展開
   2. ALDプロセスの特徴と応用,発展
   3. ALEtプロセスの原理と特徴
2. CVDプロセスの反応機構と速度論
   1. CVDプロセスの素課程
   2. CVDプロセスの速度論
   3. CVDプロセスの均一性
3. ALDプロセスの反応機構とプロセス最適化の基礎
   1. ALDプロセスの基本原理と製膜特性
   2. ALDプロセスの理想と現実
   3. ALDプロセス最適化への指針
4. まとめ
• 質疑応答

第2部 室温原子層堆積法の基礎と応用

(2017年9月25日 13:15〜15:00)

1. 技術背景
   1. 原子層堆積法のニーズ
   2. 熱原子層堆積の原理と事例紹介
   3. 成膜温度の低温化の問題
2. 室温原子層堆積法
   1. プロセス開発 SiO2 TiO2 Al2O3 ZrO2
   2. 室温原子層堆積の応用事例
   3. ガスバリアフィルムへの展開
   4. 微粒子被覆への展開
3. まとめ
• 質疑応答

第3部 全ALDプロセスによる水蒸気ハイバリア膜の作製と評価

(2017年9月25日 15:15〜17:00)

　ALD応用の有望な技術分野の1つとして、ガスバリア膜が挙げられる。特に、水蒸気による材料劣化を避ける必要のある有機デバイス等のために、水蒸気の透過を極限まで減少させる薄膜技術の開発が進められている。ここでは、ALDの複雑な構造への完全被覆性を活かす、全てALDで構成した水蒸気バリア膜について、そのプロセス技術、評価技術、さらに量産実現のための装置技術までを含めた内容を紹介する。

1. 水蒸気バリア膜について
2. 水蒸気バリア性能の評価方法
3. 原子層堆積 (ALD) Al2O3膜の水蒸気バリア性能
4. ALD積層膜による水蒸気ハイバリア膜の実現
5. 量産向け装置技術開発
6. 周辺プロセス技術開発
7. まとめ
• 質疑応答