SiCおよびGaN基板表面の原子レベル平坦化技術

SiC/GaNパワーデバイスは、Siパワーデバイスに比べ低損失動作が可能であることから、パワーコンディショナや車載用インバータ等への実用化が期待されている。 　一般にこれらのデバイスはホモエピタキシャル薄膜上に形成されるため、原子レベルで平坦な単結晶基板が望まれる。 　本講義では、半導体基板表面の一般的な平坦化技術について紹介するとともに、SiCおよびGaN基板表面を原子レベルで平坦化可能な触媒表面基準エッチング法について研究開発状況等を紹介する。

1. はじめに
   1. SiCの概要
   2. GaNの概要
   3. 従来研磨技術と平坦化例
2. 触媒表面基準エッチング法によるSiC基板表面の平坦化
   1. 触媒表面基準エッチング法の基礎概念
   2. 白金触媒とフッ化水素酸を用いた平坦化基礎実験
   3. 加工メカニズムの考察
   4. ウエハ全面平坦化加工装置
   5. ウエハ全面平坦化結果
   6. 加工面の各種評価
3. 触媒表面基準エッチング法によるGaN基板表面の平坦化
   1. 固体酸・塩基触媒と紫外線照射を用いた平坦化基礎実験
   2. バイアス電圧印加の効果
   3. 加工面の各種評価
4. 今後の展望
   1. エピタキシャル用基板以外への応用
   2. 大口径化に向けて

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