半導体基板表面の基礎から解説し、SiC基板・GaN基板表面を原子レベルで平坦化可能な「触媒表面基準エッチング法」について詳解いたします。
SiC/GaNパワーデバイスは、Siパワーデバイスに比べ低損失動作が可能であることから、パワーコンディショナや車載用インバータ等への実用化が期待されている。 一般にこれらのデバイスはホモエピタキシャル薄膜上に形成されるため、原子レベルで平坦な単結晶基板が望まれる。 本講義では、半導体基板表面の一般的な平坦化技術について紹介するとともに、SiCおよびGaN基板表面を原子レベルで平坦化可能な触媒表面基準エッチング法について研究開発状況等を紹介する。