2011年6月16日「半導体製造ラインにおける汚染の実態と歩留まり向上のための半導体クリーン化技術」
半導体デバイスの微細化にともない、半導体の製造現場では、パーティクル (異物微粒子) や金属不純物、ケミカル汚染などさまざまな微小な汚染物質が、半導体デバイスの歩留りや信頼性にますます大きな影響を及ぼすようになってきています。
このため、製造ラインの超清浄化―全工程にわたりシリコンウェーハをいかに清浄に保つかの重要性が一段と高まっています。
半導体製造の根幹である半導体表面クリーン化の視点に立ったクリーン化技術の基礎から最先端情報までを、実践的な観点から豊富な事例を交え、 初心者にも分かりやすく、かつ具体的に解説します。
随時、ビデオ学習や練習問題を採り入れ受講者の理解を深めます。
- 予備ビデオ学習 ―世界の半導体工場の内部見学―
- クリーン化の目的 ―歩留まり向上の重要性―
- 歩留まりとは?
- 歩留まり向上の意義
- 歩留まりの低下要因
- 歩留まり予測モデル
- クリーン化の対象 ―製造ラインでの汚染の種類と実態―
- 半導体微細化の年代推移
- 半導体製造における空気清浄度の推移
- ウェーハ搬送方式の推移
- 汚染発生源の推移
- ボールルームとミニエンバイロンメント
(200mm SMIFから450mm FOUPへの変遷)
- 半導体製造におけるクリーン化の優先順位
- 半導体製造において管理対象とすべき汚染の種類と推移
- 半導体製造におけるパーティクル汚染の実態と汚染によるデバイス不良例
- 半導体製造における金属汚染の実態と汚染によるデバイス不良例
- 半導体製造におけるケミカル (無機・有機) 汚染の実態と汚染によるデバイス不良例
- 半導体表面クリーン化の手法 ―各種汚染の具体的防止策―
- ウェーハ表面汚染の種類と主なデバイス特性への影響
- 半導体製造装置・プロセスの主な発塵源
- ウェーハ表面の汚染分析手法
- 半導体プロセスにおけるパーティクルの低減・防止対策
- 半導体プロセスにおける金属汚染の低減・防止策
- 半導体プロセスにおける無機・有機汚染の低減・防止策
- まとめ ―クリーン化技術のパラダイム転換―
2011年6月17日「半導体製造プロセスにおける精密洗浄技術の基礎と課題および最新動向」
半導体デバイスの微細化に伴い、半導体の製造現場では、パーティクルはじめ様々な微小な汚染物質が半導体デバイスの歩留まりや信頼性にますます大きな影響を及ぼすようになってきています。半導体プロセスはそのすべてが汚染の発生源です。
これらの汚染が半導体ウェーハ表面に付着してしまった場合は、洗浄で除去しなければなりません、このため、洗浄工程は、歩留りを左右する重要な工程として、半導体製造プロセスの中に繰り返し登場し、最多の工程となっています。しかし、半導体デバイスの微細化に伴い、洗浄に伴う様々なトラブルが顕在化してきており、従来の洗浄技術にブレークスルーが求められています。
本講演では、半導体洗浄技術の基礎、現状の課題と解決策、そして世界最先端の最新動向までを、実践的な観点から豊富な事例を交え、 初心者にも分かりやすく、かつ具体的に徹底解説します。
随時、ビデオ学習や練習問題を採り入れ受講者の理解を深めます。
- ウェーハ洗浄の基礎
- 半導体洗浄における洗浄の重要性
- 洗浄による表面汚染除去のメカニズム
- ウェーハ洗浄手法、洗浄シーケンスの変遷
― 多槽浸漬式洗浄から枚葉スピン洗浄へ
- ウェーハ乾燥手法の変遷
- ウェーハ洗浄の現状と課題
- 微細構造・新材料への対応
- FEOL洗浄の現状と課題
- BEOL洗浄の現状と課題
- 超微細化に向けての洗浄の課題
- 先端半導体製造における純水がらみの問題点
- 洗浄時の物理力 (超音波、2流体ジェット) によるパターン倒壊
- 脆弱なナノ構造にダメージを与えない洗浄
- ウェット洗浄の改良
- 代表的なドライ洗浄
- HFベーパー
- 極低温エアロゾル
- クラスターイオンビーム
- UV/ガス利用 など
- 超臨界流体洗浄
- 局所クリーニング
- レーザー
- ショックウエーブ
- ナノプローブ
- ナノピンセット など
- 洗浄装置業界・特許・国際会議の最新動向分析
- 世界洗浄装置業界の最新動向
- 洗浄技術の特許動向
- 国際会議に見る洗浄技術の最新動向
- まとめ – 半導体洗浄技術のパラダイムシフト