(2017年4月27日 10:00～11:30)
(2017年4月27日 11:40〜13:10)
近年、電子機器の小型化、高出力化に伴い半導体素子の発熱が増大している。 半導体素子は、高温になると効率が低下するだけでなく誤動作や故障の原因となるため、発生した熱量を効率的に機器の外部に逃がす放熱性の高い絶縁材料が求められている。 本講演では、樹脂と無機フィラーの複合材料における高熱伝導化技術を紹介するとともに、電子機器の中で高い放熱性が要求されるパワーモジュールへの応用例について、最新の結果を踏まえて紹介する。高熱伝導化技術については、エポキシ樹脂と窒化ホウ素 (h-BN) フィラー複合材料におけるフィラーの配向制御について紹介する。
(2017年4月27日 13:50〜15:20)
SiCパワー半導体特徴を最大限に生かすためには、さまざまな課題が存在します。 特に高温動作可能という特徴を生かし、パッケージの小型化を目指す場合、 Siパワー半導体の動作可能温度を超える、例えば250℃まで信頼性を満足する必要が出てきます。 また、現在パッケージの小型化で注目されている3次元実装を250℃までの温度で実現する必要が出てきます。 本発表では量産効果の出ているAlワイヤーの250℃までの信頼性評価結果と、同じくAlワイヤーを用いたパワー半導体用フリップチップ実装を紹介いたします。
(2017年4月27日 15:30〜17:00)
近年、市場が急拡大しているPHEV/EV車では、小型化や軽量化に加えて低損失化が求められている。ドライバーの低燃費・省エネ志向が益々高まり高効率化技術の進歩が必須な市場と変りつつある。 小型化、低損失化のためのキーデバイスであるパワーモジュールには、半導体デバイス、実装、冷却など様々な技術分野の研究成果が結集されており、両面冷却パワーモジュール等の技術革新の適用が進んでいる。 本講演では、これまで開発された低損失化、小型化技術を紹介すると共に、最新のパワーモジュールとそれを用いたインバータの開発状況を紹介し、今後の動向について述べる。