(2017年3月22日 10:00〜11:20)
部品内蔵配線板が1990年代に始めて量産化されて依頼20年を過ぎた、この間電子機器の変遷も目まぐるしく変わり、今後はIoTに代表される人が介在しない電子機器の普及は我々の予測を遥かに超えるスピードで拡大する。 これらはセンサーを中心に自立分散型での運用が中心となるため、通信機能、コンパクトな給電発電機能、複数のセンシング機能が不可欠となる。且つ小型、軽量、低価格で無ければ成らない。 これらには、少なからず部品内蔵技術 (パネルレベルパッケージ含む) が不可欠となり、将来的には中核技術と成る事が予測される。
(2017年3月22日 11:30〜12:50)
異種多数のトランジスタが集積する3次元積層LSIでは、10 Gbps以上の高速信号伝送に対応するため、電源ネットワークのインピーダンスを、直流 (0 Hz) から10 GHz以上の広い周波数帯域で、0.1 Ω以下にすることが求められている。 この低いインピーダンスを実現するため、インターポーザに従来以上の高密度でキャパシタを実装する必要があります。 今回、福島県の企業の保有する0.1 ㎜間隔の狭間隔部品実装技術を、インターポーザ内層部に応用して0402サイズのキャパシタを高密度に実装し、超広周波数帯域で超低インピーダンスの電源ネットワークをもつ高機能な部品内蔵インターポーザを開発しました。
(2017年3月22日 13:30〜14:50)
部品内蔵基板の用途は、モバイル端末に代表される民生機器に加えてサーバや医療機器、そして自動車などの各分野で検討され始めている。 これにともない部品内蔵基板の技術動向において、小型・薄型化および高密度化に限らず接続信頼性向上や放熱特性向上が求められてきている。 本講座では、試作品および量産品の事例に基づきこれらの技術を紹介する。
(2017年3月22日 15:00〜17:00)
部品内蔵配線板の開発経緯と各タイプでの実製品事例を紹介するとともに、電気信号伝送特性と熱特性解析事例を示し放熱手段について述べる。 また今後の配線板技術の高密度微細化と低コスト化を達成すべく開発している2.5D実装対応のインターポーザ技術に関し、薄膜受動膜素子 (IPD) を再配線層 (RDL) に内蔵形成した、所謂パッシブSi – Interposer with TSV、 RDL and IPD技術の貸しプロセスとその特性と電気信号伝送特性に関し述べる。 更に、シリコンインターポーザの電気信号伝送特性を改善しかつ低コスト化を達成可能なガラスインターポーザの開発に関して説明した後、更なる低コストを達成すべく開発している有機インターポーザ技術に解して述べる。 従来のプリント配線板技術をベースとした部品内蔵配線板技術を総括するとともに、今後の2.5D/2.1D実装に対応可能な薄膜受動素子を内蔵したインターポーザ技術まで広範囲に述べる。