本セミナーでは、パワーデバイスの基礎から解説し、IGBT、SiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの現状と課題、最新トピックスまで学会発表などをまとめて詳解いたします。
日時
- 2011年5月25日 10時30分〜 2011年5月25日 16時30分
開催予定
プログラム
- パワーデバイスの現状
- パワーデバイスの市場動向、市場要求
- IGBTの進展
- なぜIGBTがパワーデバイスの主役になったのか
- IGBT開発の歴史
- IGBT最新技術動向
- 次世代IGBTについて
- RB-IGBT,RC-IGBTとは何か?
- なぜSiCが注目されているのか
- SiCの特徴は?
- MOSFETがいいのか、IGBTがいいのか?
- SiCパワーデバイスの開発 (最近のトピックスから)
- 最新学会発表論文、新聞記事の紹介
- SiCモジュールの課題
- 実用化を妨げる問題は何か?
- なぜGaNが注目されているのか
- GaNパワーデバイスの開発 (最近のトピックスから)
- 最新学会発表論文、新聞記事の紹介
会場
受講料
- 1名様: 43,000円(税別) / 47,300円(税込)
- 複数名: 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
割引特典について
- 複数名 同時受講:
1口 57,750円(税込) (3名まで受講可能) - 早期申込割引:
2011年4月25日 17:00までのお申込は、
1名受講・1口受講とともに受講料から10%割引となります。