本セミナーでは、10nmノード以降の低ダメージエッチングとして有望視されている、アトミックレイヤーエッチングについて詳解いたします。
また、パワーデバイス用として低ダメージエッチングが必要とされるGaNやAlGaNのALEについても解説いたします。
ドライエッチング技術は半導体デバイスの微細化・高集積化を実現するためのキーテクノロジーです。しかしながら、プロセスにプラズマが用いられるが故にデバイスは高エネルギー粒子や荷電粒子により種々のダメージを受け、ダメージが大きい場合にはLSIの歩留りや信頼性が低下します。本セミナーではデバイスの微細化が進むにつれ深刻化しつつあるチャージアップダメージ、イオン衝撃によるSi表層部へのダメージについて、その現象を整理し、成因、低減策について詳細に解説します。また、これらのダメージがデバイス特性に及ぼす影響についても言及します。さらには10nmノード以降の低ダメージエッチングとして有望視されているアトミックレイヤーエッチングについても詳細に解説します。 本セミナーでは、まず初めにプラズマダメージを理解する上で必用な基礎的な項目、即ちプラズマの生成や、ダメージの根源となる荷電粒子のリアクター内での動きについて、ドライエッチングに詳しくない方でも理解できるように解説します。次にチャージアップの発生メカニズム、各種エッチング装置・アッシング装置のチャージアップアップ評価、チャージアップによるゲート酸化膜破壊のメカニズムについて解説し、プロセス面、ハードウェア面、デバイスデザインルール面からの対策方法を明らかにします。ここでは、生産現場で実際に起こった不良事例も紹介します。イオン衝撃によるSi表層部へのダメージに関しては、主として高エネルギーイオンによる結晶の乱れや結晶欠陥、およびデバイス特性への影響について解説します。 アトミックレイヤーエッチング (ALE) では、最初に原理と特徴について解説し、次にSiのALEで実際にその特徴が実現できることを示します。さらには次世代パワーデバイスへの適用が有望視されていて、非常に低ダメージのエッチングが要求されるGaN、AlGaNのALEプロセス構築について詳細に解説します。 本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、プラズマダメージの全容や最先端のALEを理解するのに最適な講座となっています。ドライエッチングエンジニアの方々のみならず、プラズマを使うCVDエンジニアの方々やデバイスエンジニアの方々、また半導体材料メーカーのエンジニアの方々が、現場での不良対策や今後の開発に活用するのにも役立つセミナーです。