(2016年11月22日 10:30〜12:10)
現在、パワーデバイスはほぼ100%Siを用いて製造されている。Siパワーデバイスは、Si集積回路で開発された成果の適用により急速に性能が向上し、量産体制を確立してきた。一方で、Siパワーデバイスは性能向上の限界が近いと言われ出した。そのため、パワーデバイスとしての優れた物性値を有するSiCを用いたデバイスが次世代パワーデバイスとして期待されている。 実際に、試作されたSiCパワーデバイスの性能は、Siパワーデバイスを凌駕する。しかしながら、SiCパワーデバイスの真の量産化には課題が山積している。SiCパワーデバイスの課題は、結晶製造技術、チップ製造技術、モジュール製造技術、さらには周辺部品と多岐にわたる。 本講座では、SiCパワーデバイスの優位性と課題について解説する。
(2016年11月22日 13:00〜14:40)
講演内容の各項目ついて、酸化・アニール条件が界面準位密度・チャネル移動度・しきい値電圧変動などMOSデバイスの基本パラメータに与える影響について解説します。また、結晶面方位によってもその影響が大きく異なる点についても紹介します。 これまで取り組まれてきた様々な手法を踏まえ、現在主流のプロセスに至った経緯を理解し、さらなる改善を行う上で今後の開発指針の参考にしていただければと思います。
(2016年11月22日 14:50〜16:30)
SiC-MOS界面の信頼性はSi-MOSとは異なる性質を示すにも関わらず、従来の評価手法が用いられている。本講演ではそれらの問題点および新たな評価技術を紹介する。