本セミナーでは、エッチングを支配するパラメータとその制御方法を解説いたします。
ドライエッチング技術は、半導体デバイスの微細化・高集積化を実現するためのキーテクノロジーです。しかしながら、プラズマを用いた物理化学反応でエッチングが進むため、電気、物理、化学の総合的な知識を必要とし、かつチャンバー内で起こっている現象が複雑なため理解を難しくしています。デバイス制作への応用に目を向けてみますと、Cuダマシンエッチング、メタルゲート/High-kエッチング、FinFETエッチング、ダブルパターニングなど次々と新しい分野が生まれており、10nmノード以降では原子レベルで表面反応を制御するエッチング技術が必要となってきています。 本セミナーでは、ドライエッチング技術の基礎から最先端の技術動向まで分かりやすく解説します。セミナーでは、まずドライエッチングの基礎から始め、極力数式を使わないでドライエッチングのメカニズムが容易に理解できるよう解説します。各種材料のエッチングでは単なる各論にとどまらず、エッチングを支配するパラメータとその制御方法について詳細に解説します。ここでは被エッチ膜表面での反応に焦点を絞り、プラズマからから被エッチ膜表面への入射種とエッチ速度、選択比、形状との相関関係、およびこれら加工特性の制御手法について解説します。最新技術動向では、最先端デバイスの中でドライエッチングがどのように用いられているかを具体的なプロセスフローを用いて詳細に解説します。また最近ホットな話題となっているアトミックレイヤーエッチング (Atomic Layer Etching) についても詳細に解説します。 本セミナーは、長年半導体の製造現場に近い所で仕事をしていた講師の体験に基づいておりますので、実践的で密度の濃い内容になっており、入門としても、またドライエッチングのプロを目指す方にも最適な講座となっています。また、半導体材料メーカーのエンジニアの方々がドライエッチングの全体像を理解し、また自分たちの技術が先端デバイスの中でどのように使われているのかを理解するのにも役立つセミナーです。