パワーデバイス向け銀ナノ接合材の低温焼結と高耐熱接合技術

第1部 室温～低温焼結性銀ナノ粒子の特性と高耐熱接合への応用

(2016年10月7日 10:30〜12:10)

　貴金属ナノ粒子の合成と特性に関して、主として低温焼結性を付与する観点から、その概要を説明する。 　そして、そのような貴金属ナノ粒子の応用に関して、金属接合用途を中心に既存技術との相違点やメリットを述べ、ハイパワーLED、UV-LED、パワーデバイスの分野における応用や将来の展望を主に当社研究開発事例を中心に述べる。

1. 貴金属ナノ粒子の低温焼結性設計
   1. 貴金属ナノ粒子の材料構成
   2. 低温焼結性に影響する設計因子
   3. ナノ粒子の評価方法
   4. 錯体系低温焼結性インク
   5. 室温焼結性インク
2. プリンテッドエレクトロニクスでの応用事例
3. 金属接合での応用事例
   1. 従来型接合材に対するメリット
   2. ハイパワーLEDでの応用事例 (熱伝導率重視)
   3. パワーデバイスでの応用事例 (高耐熱性重視)
   4. 将来の展望
• 質疑応答

第2部 SiCパワーデバイス向け高耐熱ダイボンド用ナノ銀ペーストの特性と信頼性

(2016年10月7日 13:00〜14:40)

　近年地球温暖化問題はますます深刻になってきており、省エネに取り組むことが急務となってきている。省エネへの取り組みとして、パワーエレクトロニクス技術を活用しエネルギー効率を高めることで省エネに貢献できる。パワーエレクトロニクスの応用であるパワーデバイスは近年ますます高性能化が求められており、高耐圧、高電流、高速動作および高温動作などを達成できるワイドギャップ半導体SiCが近年注目されている。 　従来のSiデバイスは、連続動作温度175℃以下での設計であったが、SiCデバイスに要求される連続動作温度は200℃～300℃と従来に比べて非常に高温である。この温度域では従来のはんだによるダイボンディングは不適である。その解決策として、ダイボンディング用高耐熱接合材としてナノ銀ペーストを提唱させていただき、次世代のパワーデバイスに貢献できることを期待している。

1. はじめに
   1. 背景
   2. パワーデバイス向け接合材について
2. ナノ銀ペーストについて
   1. なぜナノ銀なのか
   2. ナノ銀粉末について
   3. ナノ銀ペーストの組成について
3. ナノ銀ペーストの特性について
   1. ナノ銀ペーストと他の接合材との一般接合特性の比較
   2. ナノ銀ペーストの特性
4. ナノ銀ペーストを用いた接合およびその接合層の一般特性について
   1. ナノ銀ペーストの接合方法
   2. ナノ銀焼成層の一般特性
   3. ナノ銀接合層とはんだ接合層との比較
5. ナノ銀接合層の構造解析について
6. 次世代パワーモジュール設計のためのナノ銀接合材の信頼性について
   1. 高温放置における信頼性
   2. TCT (Thermal Cycle Test) 評価における信頼性
   3. PCT (Power Cycle Test) 評価における信頼性
• 質疑応答

第3部 SiCパワー半導体用銀焼結材の高耐熱接合と自己修復現象

(2016年10月7日 14:50〜16:30)

1. 次世代ワイドバンドギャップ半導体
2. 高耐熱接合と実装技術
3. 焼結銀接合の物性と自己修復現象
4. 信頼性と量産に向けて
• 質疑応答