第1部 パワーデバイス向け封止材料の特性と高放熱化 ~Si基板から新規基板 (SiC等) への対応~
(2016年8月25日 10:30〜12:10)
日常生活を便利に暮らすには、「電力」は必需品です。パワーデバイスはこの「電力」を制御する半導体部品であり、その性能はエネルギー消費量に直結します。つまり、時流の地球温暖化防止=省エネ化を推進できるか、この重要な鍵をパワーデバイスが握っていると言える。このため、その開発に関心が集まるようになってきました。例えば、発生損失を大幅に低減する新規基板 (SiC等) の検討を挙げることができます。
又、パワーデバイスは動作時に発熱を伴うので、その封止材料には耐熱性や放熱性が要求されます。
今回、パワーデバイス及びその封止材料の開発状況、現状の課題とその対策について解説します。
- パワーデバイス
- 種類
- 用途
- 使用状況
- 市場動向
- 技術動向
- 新規基板
- パワーデバイスの封止技術
- 封止方法
- PKG構造
- 放熱構造1.パワーデバイス
- 種類
- 用途
- 使用状況
- 市場動向
- 技術動向
- 新規基板
- パワーデバイス用封止材料
- 組成
- 原料
- 製法・設備
- パワーデバイス用封止材料の評価
- 成形性
- 一般特性
- 信頼性
- パワーデバイス用封止材料の課題
- 高耐熱化
- 高純度化
- 高放熱化
- パワーデバイス用封止材料の高放熱化
- 充填剤
- 充填技術
- 表面改質
- 今後の展望 (パワーデバイス用材料の開発)
- 複合材料
- 自動車:ECU用外装材料
第3部 窒化物フィラーの表面処理・最密充填・低フィラー化技術
(2016年8月25日 13:00〜14:40)
- 窒化物フィラーの種類と熱伝導率
- 窒化物フィラーコンポジットの粘度予測
- コンポジットの粘度予測式と適用範囲
- フィラー粒度分布を考慮したコンポジットの粘度予測理論
- 窒化物フィラーの最密充填技術と低フィラー化技術
- フィラー最密充填理論
- フィラー最密充填によるコンポジットの高熱伝導率と低粘度の両立
- コンピューターシミュレーションを活用した新しい充填構造設計手法
- フィラーのハイブリッド化とネットワーク構造形成による低フィラー化技術
- 窒化物フィラーの表面処理技術
- 窒化物フィラーの表面処理事例
- 窒化物フィラーコンポジットの熱伝導特性評価
- コンポジットの熱伝導率予測式
- 国内外での窒化物フィラーコンポジットの開発動向
第4部 SiC・GaNパワーデバイスの最新技術と封止材への課題
(2016年8月25日 14:50〜16:30)
- パワーデバイスの現状
- 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
- なぜパワーデバイスが高温動作、高周波動作するといいのか
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- 最近のトピックス
- SiC-MOSFET設計のポイント
- SiC-MOSFETの課題
- ゲートしきい値変動
- 内蔵ダイオードVf劣化
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- 最近のトピックス
- GaN-HEMT設計のポイント
- GaN-HEMTの課題
- ノーマリ-オフ特性
- 高温・高周波対応実装技術
- SiC-MOSFET新型パッケージ技術
- SiC-MOSFET新型モジュール外観と断面