SiCパワーデバイスの高耐熱・高放熱実装と材料設計技術

第1部 パワーデバイス用途に向けたエポキシ樹脂の高耐熱化技術

(2016年5月26日 10:30〜12:00)

　本講座においては電材向けエポキシ樹脂の一般的な耐熱性向上技術の紹介とその課題を基礎物性理論と硬化物データを関連付けながら解説したうえで,高耐熱性と相反関係にあるパワーデバイス用とに必要な物性を両立する分子デザインと,その合成技術について解説する。これらの情報を通じて,エポキシ系アプリケーション開発者の樹脂選定に必要な知識やエポキシ樹脂開発者の分子設計に必要な知識が習得できる。

1. はじめに
   1. DICエポキシ事業の説明
   2. 代表的な既存エポキシ樹脂
2. 各種電気電子材料の技術動向
   1. 半導体パッケージ基板
   2. 半導体封止材
3. エポキシ樹脂の分子構造と硬化性の関係
   1. 立体障害の影響
   2. 官能基濃度・官能基数の影響
   3. 水酸基濃度の関係
   4. 末端不純物濃度の関係
4. エポキシ樹脂の分子構造と耐熱性 (Tg) の関係
   1. 官能基濃度の影響
   2. 官能基数の影響
   3. 骨格の剛直性の関係
   4. 分子間相互作用の影響
   5. 硬化速度の影響
5. エポキシ樹脂の熱劣化 (耐熱分解) 機構
6. 耐熱性と相反する諸特性の紹介 (流動性、吸湿性、密着性、難燃性)
7. 耐熱性や低熱膨張性と相反する諸特性を両立する分子デザインとその合成技術
• 質疑応答

第2部 パワーデバイス向け樹脂封止材料の高耐熱・高絶縁設計技術

(2016年5月26日 13:00〜14:30)

近年、省エネルギーを達成出来るパワーデバイスが注目されているが半導体封止材料には従来以上の高耐熱・高放熱・高 絶縁性が求められるようになっている。 このトレンドと要求を達成するための材料設計技術について分かりやすく説明します。

1. 半導体封止材料について
2. 半導体封止材料の高耐熱設計について
3. 半導体封止材料の高放熱設計について
4. 半導体封止材料の高絶縁設計について
• 質疑応答

第3部 SiCパワーデバイスの半導体の実装と信頼性評価技術

(2016年5月26日 14:40〜16:00)

　次世代パワーデバイス、即ちSiCやGaN等のワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが注目されている。既に市場に投入され始めてはいるものの、その性能を十分に発揮するためには、従来のSiデバイスよりはるかに高い温度の耐熱実装技術が求められており、新しい視点でのパッケージング設計が必要となる。また、パワーデバイスにも鉛フリー化の波が押し寄せてきている。本講演では、最新の鉛フリー高耐熱接合技術の開発状況を中心に、250℃耐熱を目指して進んでいるパワー半導体実装技術について解説する。

• はじめに
• 次世代ワイドバンドギャップ半導体について
• 高耐熱接合技術
• 焼結銀接合の耐熱安定性改善
• 高耐熱パワーデバイス実装技術
• 故障解析
• まとめ
• 質疑応答