(2016年5月26日 10:30〜12:00)
本講座においては電材向けエポキシ樹脂の一般的な耐熱性向上技術の紹介とその課題を基礎物性理論と硬化物データを関連付けながら解説したうえで,高耐熱性と相反関係にあるパワーデバイス用とに必要な物性を両立する分子デザインと,その合成技術について解説する。これらの情報を通じて,エポキシ系アプリケーション開発者の樹脂選定に必要な知識やエポキシ樹脂開発者の分子設計に必要な知識が習得できる。
(2016年5月26日 13:00〜14:30)
近年、省エネルギーを達成出来るパワーデバイスが注目されているが半導体封止材料には従来以上の高耐熱・高放熱・高 絶縁性が求められるようになっている。 このトレンドと要求を達成するための材料設計技術について分かりやすく説明します。
(2016年5月26日 14:40〜16:00)
次世代パワーデバイス、即ちSiCやGaN等のワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが注目されている。既に市場に投入され始めてはいるものの、その性能を十分に発揮するためには、従来のSiデバイスよりはるかに高い温度の耐熱実装技術が求められており、新しい視点でのパッケージング設計が必要となる。また、パワーデバイスにも鉛フリー化の波が押し寄せてきている。本講演では、最新の鉛フリー高耐熱接合技術の開発状況を中心に、250℃耐熱を目指して進んでいるパワー半導体実装技術について解説する。