本セミナーでは、最新パワーモジュールに関する組立・実装技術からパワーモジュールの使われ方までを詳細に解説いたします。
日時
- 2016年5月25日 10時30分〜 2016年5月25日 16時30分
中止
プログラム
近年、太陽光や風力発電などの創エネルギー分野やハイブリッド車や電気自動車による低炭素社会の実現がますます重要なものとなっている。これらの技術の中核を担うのが最新のパワーエレクトロニクス技術であり、高効率化、小型・軽量化に対する取り組みが鋭意されている。本講演ではこれらの技術の基幹部品であるパワー半導体モジュールに関して最新のIGBTモジュールとSiCモジュールについて説明するとともに、パッケージ組立・実装技術に対する課題と最新動向および今後の展開について述べる。
- はじめに
- パワー半導体とは?
- パワー半導体の動作
- パワー半導体のアプリケーション
- EV/EHV
- 太陽光PCS
- 風力発電用コンバータ
- 鉄道車両 など
- 最新Siパワーデバイスの詳細
- 第7世代IGBTモジュール
- RB-IGBTモジュール (逆阻止形IGBT)
- ハイブリッド型SiCモジュール
- SiCモジュール
- 最新パッケージ・実装技術
- 低熱抵抗化技術
- 高放熱化技術
- 高パワー密度化技術
- 高信頼性技術
- 最新SiCパッケージ・実装技術
- SiCパッケージに重要な特性
- 最新SiCパッケージの紹介
- 最新CAE技術
- CAE技術の必要性
- CAE技術の適用例
- まとめ (今後の展開も含む)
会場
受講料
- 1名様: 46,278円(税別) / 50,905円(税込)
割引特典について
- R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
- 1名でお申込みいただいた場合、1名につき43,750円 (税別) / 47,250 円 (税込)
- 2名同時にお申し込みいただいた場合、2名で46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)
- 案内登録をされない方は、1名につき46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)