SiCパワーデバイスの高耐熱接合、実装技術

1. 高温動作SiCパワーモジュールへの要求特性と高温接合技術

(2016年2月23日 10:30〜12:15)

1. ワイドギャップ半導体を用いた電力変換器の展望
   1. ワイドギャップ半導体の適応範囲
   2. ワイドギャップ半導体のメリットと高温動作
   3. 高温動作SiCパワーモジュール実現のための要求仕様
2. SiCパワーモジュール向け高温接合技術
   1. 高温はんだ接合技術
   2. 高温はんだ固相線温度制御技術
   3. Alバンプフリップチップ実装技術
   4. Sn系焼結接合技術
   5. 枚の基板でサンドイッチされた高耐熱パワーモジュール構造の検討
3. まとめ
• 質疑応答

2. パワーデバイスの高耐熱実装技術

(2016年2月23日 13:00〜14:45)

1. 半導体の実装技術と高温耐熱実装の課題
2. パワーデバイスの実装技術
3. ワイヤボンディング技術と課題
4. ダイボンディング技術と課題
5. 新実装技術とSiCパワーデバイスへの適用
6. 今後の展望
• 質疑応答

3. SiCパワーデバイス向け高耐熱パッケージの開発とその要求特性

(2016年2月23日 15:00〜16:45)

　1960年代より半導体向けを初め各種用途の気密端子 (GTMS) を開発製造している実績より、このほど高放熱と高電流に対応したGTMS開発を進めております。この端子は特にパワーデバイスなどで要求が加速している放熱性と大電流に対応でき、既存パッケージよりも素子特性を十二分に引き出すと同時に、気密封止により更なる信頼性向上が図れるパッケージソリューションと考えております。パワーデバイスのみならず、各種電子機器の信頼性向上のためのパッケージソリューションGTMSを紹介させていただきます。

1. SCHOTTについて
2. NEC SCHOTTについて
3. GTMSとは
   1. 概要
   2. 種類としくみ
4. SiCパワーデバイス用GTMSパッケージ開発について
   1. 要求品質と現状特性の比較
   2. GTMS以外のパッケージングとの比較
   3. 基本設計
   4. 要件実現への考え方
      ～高気密性、高耐熱性、高放熱性、高電流対応～
5. 高耐熱GTMS開発について
   1. 高耐熱気密端子 (600℃以上) の開発
6. GTASの紹介
   1. 軽量かつ高電流対応のアルミGTMS (GTAS) の開発
• 質疑応答