本セミナーでは、スパッタプロセスによる薄膜形成の基礎から解説し、スパッタ薄膜の評価と、内部応力の発生と対策・制御について詳解いたします。
日時
- 2016年3月8日 12時30分〜 2016年3月8日 16時30分
中止
プログラム
スパッタプロセスによる薄膜形成の基礎知識を身につけて頂くとともに、スパッタ薄膜の機械的性質の評価技術について講義します。特に、実際のスパッタリングによる薄膜形成で問題になることの多い内部応力の発生原因と制御方法については詳細に解説します。
- スパッタリングによる薄膜成長の基礎
- 直流スパッタリングと高周波スパッタリング
- 金属薄膜と絶縁体薄膜
- 反応性スパッタリング
- 酸化物、窒化物などの化合物薄膜の形成
- 非平衡マグネトロンスパッタリング
- イオンアシストの利用
- どのように薄膜は形成されるのか
- 薄膜成長機構と膜構造
- 直流スパッタリングと高周波スパッタリング
- スパッタ薄膜の機械的性質の評価方法
- 引張り強さとヤング率、硬さ
- 内部応力
- 密着力
- スパッタ薄膜における内部応力発生のメカニズムとその制御
- 内部応力の発生する原因
- 種々のスパッタ薄膜の内部応力の実例
- 反応性スパッタリング法によって作製した窒化物薄膜の内部応力
- 非平衡マグネトロンスパッタリング法による薄膜の内部応力制御
- まとめ
会場
受講料
- 1名様: 46,278円(税別) / 50,905円(税込)
割引特典について
- R&D支援センターからの案内登録をご希望の方は、割引特典を受けられます。
- 1名でお申込みいただいた場合、1名につき 43,750円 (税別) / 47,250円 (税込)
- 複数名で同時にお申し込みいただいた場合、1名につき 23,139円 (税別) / 24,990円 (税込)
- 案内登録をされない方は、1名につき 46,278円 (税別) / 49,980円 (税込)