(2015年10月29日 10:30〜12:00)
近年、SiC等を中心とした高温半導体パワーデバイスの開発が盛んに行われている。高温半導体のメリットを最大限に発現するためには、デバイスを高温環境下でも正常に動作させることが不可欠であるが、材料の耐熱性向上や熱応力低減など、実装技術における課題が山積している状況である。 本講演では、高温環境下での高信頼性化を実現するためのパワーモジュール実装技術として、Ag焼成膜付きDBA基板の紹介をする。パワーモジュールの高信頼性化には、単にモジュールの構造を改良するだけでなく、材料の物性や欠陥制御などの材料科学的な視点が極めて重要であることを、多くの解析事例を踏まえながら説明し、Ag焼成膜付きDBA基板の優位性だけでなく、Agダイボンディングプロセスにおける留意点についても言及する。
(2015年10月29日 12:45〜14:15)
インバータ等に用いられるパワー半導体デバイスは、SiCやGaNを用いたものが量産される状況になってきました。これらのデバイスは、200℃以上の高温動作の可能性がありますが、それを実現させる接合技術には、従来とは異なる技術が必要です。本日は、Cuナノ粒子接合を中心とした新規な接合技術に関して説明します。
(2015年10月29日 14:30〜16:00)
次世代パワーデバイス、即ちSiCやGaN等のワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが注目されている。既に市場に投入され始めてはいるものの、その性能を十分に発揮するためには、従来のSiデバイスよりはるかに高い温度の耐熱実装技術が求められており、新しい視点でのパッケージング設計が必要となる。また、パワーデバイスにも鉛フリー化の波が押し寄せてきている。本講演では、最新の鉛フリー高耐熱接合技術の開発状況を中心に、250℃耐熱を目指して進んでいるパワー半導体実装技術について解説する。