EUVLの量産・実用化までに知っておきたい技術概論と周辺材料・技術への要求変遷と展望

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会場 開催

本セミナーでは、極端紫外線リソグラフィ EUVL の基礎から周辺材料、技術動向について解説いたします。

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開催予定

プログラム

1986年に世界で初めて、x線領域での縮小露光法を提案してから、30年が経過し、今、ようやっと量産への機運が高まってきた。最初の15年ほどは、フィジビリティスタディーから、マスク・レジスト、光源、露光装置などの個々の技術開発の時代であり、後半の15年は量産機開発と光源の高強度化、マスク検査機、20nm以下のレジスト開発がなされた。昨年10月のEUVLシンポでのTSMC社のASML露光機NXE3300を用いた640枚/日の報告以来、今年のSPIEで1022枚/日など、量産機として確実にその性能を伸ばしてきており、4月のインテル社の最少15台の露光機の発注など、現実味が出てきている。恐らく、2017年から18年にかけて、ロジックからの量産が始まり、2020年にはメモリーでも開始されるであろう。  本講演会では、単に現状に理解に留まらず、温故知新ではないが、技術の開発の変遷などから、EUVL技術の得意、不得意などを理解して戴くとともに、量産に必要となるこれからの技術開発についても、共に考えて行きたい。

  1. 開発の歴史
    1. NTTでの露光実験の紹介
    2. 米国でのX線縮小露光計画とAT&Tの露光実験
    3. 露光波長の選択
    4. 各構成要素での具備すべき条件
  2. 反射光学系の設計
    1. シュバルツシュルツ光学系の構成
    2. 2枚の非球面光学系
    3. 4~6枚の非球面光学系
  3. 反射光学系の加工法
  4. 反射光学系の評価法
  5. 多層膜の製膜技術
    1. スパッタリング法による製膜技術
    2. 薄膜の評価法、X線回折法、反射率計測
  6. 反射型マスク
    1. 反射型マスクの具備すべき条件
    2. 反射型マスクの構成
    3. 反射型マスクの製造
    4. 反射型マスクの反射率評価
    5. 反射型マスクの欠陥評価
    6. マスク基板評価
  7. レジストの構造と評価
    1. レジストの具備すべき条件
    2. 非化学増幅型レジスト
    3. 化学増幅型レジスト
    4. 無機レジスト
  8. 光源
    1. DPP光源
    2. LPP光源
    3. XFEL光源
    4. fsレーザーによるHHG光源
  9. ペリクル技術
  10. 高NA化の動向
  11. 量産機の性能
  12. まとめ

会場

品川区立総合区民会館 きゅりあん
140-0011 東京都 品川区 東大井5丁目18-1
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