不揮発性メモリの基本原理と使い方、最新技術動向

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会場開催

本セミナーでは、不揮発性メモリの基本原理と使い方、最新技術動向について詳解いたします。

日時

2015年7月21日 12時30分〜 2015年7月21日 16時00分

中止

プログラム

不揮発性メモリの分類 (応用の観点から)
1. 大容量メモリ
2. 混載メモリ
3. 新しい応用展開
不揮発性メモリデバイスの原理と課題
1. 不揮発性メモリの材料・構造設計
2. 入門:新規不揮発性メモリ
3. MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)
4. ReRAM (Resistance Random Access Memory)
5. PCAM (Phase Change Random Access Memory)
不揮発性メモリ技術の技術動向
1. フラッシュメモリ (三次元集積)
2. MRAM (特性改善とスケーラビリティ)
3. ReRAM
  1. メモリエレメントと三次元集積
  2. セレクタデバイスの開発
4. PRAM
今後の課題

質疑応答

会場

株式会社技術情報協会

141-0031 東京都品川区西五反田2-29-5

株式会社技術情報協会の地図

受講料

1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
複数名: 40,000円(税別) / 44,000円(税込)

複数名同時受講割引について

2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 40,000円(税別) / 43,200円(税込) で受講いただけます。
- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 86,400円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 129,600円(税込)
同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
他の割引は併用できません。