ナノインプリントリソグラフィによる微細パターン形成技術と欠陥対策

ナノインプリントリソグラフィの最新動向と半導体への応用展望

(2015年7月8日 10:30〜12:00)

1. ナノインプリントリソグラフィの概要
   1. 半導体リソグラフィ技術とナノインプリントリソグラフィ
   2. 熱ナノインプリントと光ナノインプリント
2. ナノインプリントリソグラフィの要素技術
   1. 装置技術
   2. 材料技術
   3. プロセス技術
   4. 評価技術
3. ナノインプリントリソグラフィの応用
   1. ナノ光学要素への応用
   2. 記憶媒体への応用
   3. 半導体リソグラフィへの応用
   4. その他電子デバイスへの応用
   5. バイオチップ・センサーへの応用
• 質疑応答・個別質問・名刺交換

ナノインプリントリソグラフィの離型メカニズムと離型性向上技術

(2015年7月8日 12:45〜14:15)

離型プロセスは、歩留りを左右する大きなポイントです。本講では、離型の力学的なメカニズムについて、コンピュータシミュレーション析を駆使し、その本質を紹介します。さらに、離型に関する材料の評価方法についても触れるとともに、欠陥を抑える離型方法について紹介します。

1. ナノインプリントとパターン欠陥
   1. パターン欠陥の概要
   2. 成型時の欠陥
   3. 離型時の欠陥
2. 離型の物理化学
   1. 接着と剥離モデルと剥離のパラメータ
   2. 破壊力学と剥離
   3. モールド/樹脂の摩擦
3. 計算機シミュレーションによる離型メカニズム
   1. 計算モデル
   2. 離型の基本メカニズム
4. 離型メカニズムと材料・プロセス条件
   1. 剥離のパラメータの依存性
   2. モールドトポロジー依存性
   3. 離型方法と応力集中 (ピール離型、ロール離型、垂直離型)
5. 欠陥回避のためのモールド表面処理
   1. シランカップリング剤によるフッ素樹脂層コート
   2. 偏析剤による離型性向上
6. 離型メカニズムに基づく離型方法
   1. 垂直離型とピール離型
   2. ステップ離型とプッシュバック離型
• 質疑応答・個別質問・名刺交換

光ナノインプリントリソグラフィによる微細パターン形成と欠陥低減

(2015年7月8日 14:30〜16:00)

半導体リソグラフィ技術では、微細化の要求からダブルパターニングによる量産が開始されたものの、プロセスコストの高騰が課題である。リソグラフィの進化は微細化とともに進化していきたが、微細化によるプロセスコストの高騰は微細化だけではなく低コストパターニングを求める技術が多く勃興している。ナノインプリントリソグラフィは、シングル露光を行うことで懸かる課題を克服できる期待があり、量産化に向けた技術的な課題の克服がなされている。しかし、ナノインプリントは接触型のパターン転写技術なので欠陥の制御が困難であるためデバイスの試作転写技術として使われているもの、大量の半導体デバイスを生産する量産工場への導入は行われてこなかった。しかし、装置、材料、テンプレート (パターン原版) 技術を支える装置・材料メーカの努力によって、ナノインプリントリソグラフィの量産導入への道が開きつつある。
本報告では、現在のマルチパターニング、EUVL、自己組織化リソグラフィの状況を概観しながら、ナノインプリントリソグラフィ技術開発の最新の状況と課題について述べる。

1. 今後の半導体デバイス動向とリソグラフィロードマップ
2. 次世代リソグラフィ比較
3. EUVL
4. 自己組織化リソグラフィ
5. ナノインプリントリソグラフィ
   1. 技術の特徴 (装置、材料、テンプレート)
   2. コスト比較
   3. 課題と展望 (欠陥、オーバーレイなどの課題の克服)
   4. 実デバイスへの適用
6. ナノインプリント技術の応用
   1. Printed ElectronicsとRoll to Roll インプリント
   2. ナノインプリントを応用した低欠陥検査技術
7. ナノディフェクトマネージメントと製造革新
• 質疑応答・個別質問・名刺交換