車載用パワーデバイスの高放熱、高耐熱化技術とSiC/GaNの応用技術

第1部　HEV/EV向けインバータの技術開発動向

(2015年6月8日 10:30〜12:00)

Hyundai Motorの環境車開発の取り組み状況を基に、次世代の車載用インバータ向けパワーデバイスに必要な材料と技術を解説します。

1. 自動車産業を取り巻く環境
   1. 環境車開発の必要性
   2. 環境車市場動向
2. Hyundai Motorの環境車開発状況
   1. 環境車開発方針、開発動向
3. HEV用インバータの概要
   1. Hybrid Systemの紹介
   2. Inverter概要
4. HEV用インバータの高機能・高効率化の技術開発動向
   1. HEV用インバータの高パワー密度化
   2. Power Moduleの高放熱化技術
5. HEV/EV用インバータの技術課題、将来展望
   1. 高耐熱パッケージ技術
• 質疑応答・個別質問・名刺交換

第2部 次世代パワー半導体のパッケージ技術と車載への応用

(2015年6月8日 12:45〜14:15)

1. 最新パワー半導体の適用分野とその拡がり
   1. 太陽光、風力分野など
   2. HEV、EV分野
2. 最新パワー半導体の概要
   1. 最新IGBTモジュール
   2. SiCデバイス
3. IGBT/SiCデバイスの最新パッケージ技術
   1. 高パワー密度化技術
   2. 高放熱化技術
   3. 接合部分の高耐熱化技術
   4. 樹脂材料の高耐熱化・高密着化
   5. 高信頼性技術
4. EV/EHV用最新直接水冷モジュールの特徴
5. SiCデバイスに最適な次世代モジュール構造
6. まとめ
• 質疑応答・個別質問・名刺交換

第3部 SiC、GaNパワーデバイスと車載応用

(2015年6月8日 14:30〜16:00)

GaNとSiCを同じ目線で語るのは、ほぼ間違っていると言ってよいのではないかと思う。それぞれの特長を見極め、その特長が最大化するようにアプリケーション開拓をしないと、長い歴史と実績を持つSiデバイスに費用対効果で負けてしまう。
ただし、新しい事をすれば、新しい問題が必ず起こる。よって、新しい課題を解決するための開発が必要であるが、あまり意識されているとは言えない。特に、パワーに関してはデバイス開発ばかりに目を向け過ぎである。応用から見たデバイス特性の見極めが重要である。こういう新しい視点でのパワー開発について講演する。

1. SiC、GaN:似ていることと違うこと
   1. 半導体としての性質
   2. GaN特有の性質
   3. SiCとGaNデバイスの基本構造の違い
   4. SiCが得意なこと、GaNが得意なこと
2. SiCデバイスの開発方向性
   1. デバイス開発の歴史
   2. 応用事例とSiCデバイスの活かされ方
3. GaNデバイスの開発方向性
   1. デバイス開発の歴史
   2. 応用事例とGaNデバイスの活かされ方
4. SiC/GaNに共通する課題
   1. 高周波スイッチングとパワー回路
   2. 高周波スイッチングに伴う問題
   3. SiC/GaNを活かし切るための周辺技術
• 質疑応答・個別質問・名刺交換