本セミナーでは、シリコン、ＳｉＣ、ＧａＮデバイスと比較しながら、酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と課題について、学会等での内容を紹介しながら丁寧に解説いたします。
日時
- 2015年6月17日 13時00分〜 2015年6月17日 16時15分
開催予定
プログラム
シリコンパワーデバイスは超接合型MOSFETならびにトレンチFS-IGBT型の誕生で特性限界に近づきつつあるといわれており、いよいよワイドバンドギャップパワー半導体の登場も現実となってきた。最近のSiCならびにGaNデバイスの製品化発表が相次いでいる。オン抵抗に代表される低損失特性は目を見張るものの、長期信頼性に関しては特有の課題があり未だ解決の余地があるようである。また、SiCやGaNよりもさらにバンドギャップが大きい酸化ガリウムを使ったパワー半導体の研究開発も最近盛んになってきた。酸化ガリウムの特徴な何か、SiCやGaNに比べて何がいいのか、課題はなにか。また素子設計をする上でのポイントは何かあるのか?など、シリコン、SiC、GaNデバイスと比較しながら、酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術と課題について、学会等での内容を紹介しながら丁寧に解説したい。
- パワーデバイスの現状
- 次世代パワーデバイス開発の位置づけ
- 最先端シリコンIGBTの現状
- なぜIGBTがパワーデバイスの主役になったのか
- IGBT最新技術動向
- SiCパワーデバイスの現状と課題
- なぜSiCが注目されているのか
- 最新技術動向とトピックス (SiC-MOSFETを中心に)
- GaNパワーデバイスの現状と課題
- なぜGaNなのか
- 最新技術動向とトピックス (GaN-HEMTデバイスを中心に)
- 酸化ガリウムパワーデバイスの現状と課題
- 酸化ガリウムの魅力とは?
- プロセス技術とデバイス技術
- 現状どこまできているのか、課題は何か?
- 今後期待される応用展開
- まとめ
- 質疑応答・個別質問・名刺交換
会場
受講料
- 1名様: 45,000円(税別) / 49,500円(税込)
- 複数名: 40,000円(税別) / 44,000円(税込)
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 40,000円(税別) / 43,200円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 45,000円(税別) / 48,600円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 80,000円(税別) / 86,400円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 120,000円(税別) / 129,600円(税込)
- 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 他の割引は併用できません。