SiCパワーデバイスの劣化要因解明と信頼性評価

Siパワーデバイスの信頼性問題解決経緯はSiCパワーデバイスに生かせ得るか

(2015年5月28日 10:00〜11:20)

1. パワーデバイスの本質
2. Siパワーデバイスの実用化経緯の概略 (サイリスタ→GTO, パワートランジスタ→IGBT)
3. Siパワートランジスタ, GTOの実用化を妨げた問題と解決策
   1. 初期耐圧
   2. 長期信頼性 (モールドパッケージでの耐圧保持)
   3. 二次破壊
   4. パッケージ
4. IGBTの実用化に約10年掛かった理由
5. SiC, GaNパワーデバイスの問題点
6. SiCデバイスの解決策?
7. Wide Band Gap半導体とは何か?
8. パワーデバイスの今後の展望
• 質疑応答

FTIRによるSiCと熱酸化膜の界面構造の解析

(2015年5月28日 11:30〜12:50)

1. SiCパワー半導体の特徴
   1. パワーデバイスの用途
   2. SiCを用いることの利点
   3. SiCパワーMOSFETの現状
2. MOSFETと熱酸化プロセス
   1. MOSFETの動作とゲートスタック
   2. 熱酸化によるゲート絶縁膜の形成
3. SiCパワーMOSFETの高性能化技術 (2)
4. SiCの熱酸化によるゲート絶縁膜形成
   1. SiCの熱酸化における問題点
   2. SiCの熱酸化機構と速度論
   3. SiCの熱酸化の熱力学
5. SiC/ゲート絶縁膜の界面欠陥抑制技術の開発
   1. 理想的なSiCの熱酸化プロセスの設計
   2. SiC MOS界面特性と欠陥低減技術
6. SiCパワーMOSFET技術の将来展望
   1. SiCパワーMOSFETの技術動向と将来展望
   2. SiC用ゲート絶縁膜形成技術の将来展望
• 質疑応答

SiC基板上に形成した熱酸化膜の界面特性 および信頼性劣化要因の解明

(2015年5月28日 13:30〜14:50)

　SiC 表面の熱酸化過程と界面原子構造の評価に加え,SiC-MOS デバイスの電気特性劣化との関係を調べた結果について紹介する。またSiO2/SiC 界面のエネルギーバンド構造解析から,基板面方位や酸化膜厚の違いによるSiC-MOS デバイスの信頼性劣化現象について講演する。

1. SiC 表面の熱酸化過程
2. SiO2/SiC 界面構造と電気特性との相関
3. SiO2/SiC 界面のエネルギーバンド構造
4. 堆積絶縁膜を用いたSiC-MOS デバイスの可能性
5. まとめと今後の展望
• 質疑応答

パワーデバイスの環境試験と 信頼性加速試験方法

(2015年5月28日 15:00〜16:20)

1. パワーデバイスの市場動向
   1. パワーエレクトロニクスとパワーデバイス
   2. パワーデバイスの応用範囲
   3. 高耐圧化と低オン抵抗化の要求
2. 信頼性試験の種類と役割
   1. 信頼性試験の目的
   2. 信頼性試験の種類と役割
3. 各種環境試験方法と信頼性加速性試験
   1. 耐熱・耐湿性評価方法と信頼性加速性試験
   2. 温度サイクル寿命と信頼性加速性試験
4. パワーデバイス特有の不良モードと試験法
   1. パワーデバイスの主な故障モード
   2. パワーデバイスの主な市場故障モード分類
   3. 車の各部位と到達温度
   4. パワーサイクル試験法と不良モード
5. AEC-Q100/101の紹介
• 質疑応答