Siパワーデバイスの信頼性問題解決経緯はSiCパワーデバイスに生かせ得るか
(2015年5月28日 10:00〜11:20)
- パワーデバイスの本質
- Siパワーデバイスの実用化経緯の概略 (サイリスタ→GTO, パワートランジスタ→IGBT)
- Siパワートランジスタ, GTOの実用化を妨げた問題と解決策
- 初期耐圧
- 長期信頼性 (モールドパッケージでの耐圧保持)
- 二次破壊
- パッケージ
- IGBTの実用化に約10年掛かった理由
- SiC, GaNパワーデバイスの問題点
- SiCデバイスの解決策?
- Wide Band Gap半導体とは何か?
- パワーデバイスの今後の展望
FTIRによるSiCと熱酸化膜の界面構造の解析
(2015年5月28日 11:30〜12:50)
- SiCパワー半導体の特徴
- パワーデバイスの用途
- SiCを用いることの利点
- SiCパワーMOSFETの現状
- MOSFETと熱酸化プロセス
- MOSFETの動作とゲートスタック
- 熱酸化によるゲート絶縁膜の形成
- SiCパワーMOSFETの高性能化技術 (2)
- SiCの熱酸化によるゲート絶縁膜形成
- SiCの熱酸化における問題点
- SiCの熱酸化機構と速度論
- SiCの熱酸化の熱力学
- SiC/ゲート絶縁膜の界面欠陥抑制技術の開発
- 理想的なSiCの熱酸化プロセスの設計
- SiC MOS界面特性と欠陥低減技術
- SiCパワーMOSFET技術の将来展望
- SiCパワーMOSFETの技術動向と将来展望
- SiC用ゲート絶縁膜形成技術の将来展望
SiC基板上に形成した熱酸化膜の界面特性 および信頼性劣化要因の解明
(2015年5月28日 13:30〜14:50)
SiC 表面の熱酸化過程と界面原子構造の評価に加え,SiC-MOS デバイスの電気特性劣化との関係を調べた結果について紹介する。またSiO2/SiC 界面のエネルギーバンド構造解析から,基板面方位や酸化膜厚の違いによるSiC-MOS デバイスの信頼性劣化現象について講演する。
- SiC 表面の熱酸化過程
- SiO2/SiC 界面構造と電気特性との相関
- SiO2/SiC 界面のエネルギーバンド構造
- 堆積絶縁膜を用いたSiC-MOS デバイスの可能性
- まとめと今後の展望
パワーデバイスの環境試験と 信頼性加速試験方法
(2015年5月28日 15:00〜16:20)
- パワーデバイスの市場動向
- パワーエレクトロニクスとパワーデバイス
- パワーデバイスの応用範囲
- 高耐圧化と低オン抵抗化の要求
- 信頼性試験の種類と役割
- 信頼性試験の目的
- 信頼性試験の種類と役割
- 各種環境試験方法と信頼性加速性試験
- 耐熱・耐湿性評価方法と信頼性加速性試験
- 温度サイクル寿命と信頼性加速性試験
- パワーデバイス特有の不良モードと試験法
- パワーデバイスの主な故障モード
- パワーデバイスの主な市場故障モード分類
- 車の各部位と到達温度
- パワーサイクル試験法と不良モード
- AEC-Q100/101の紹介