第1部 量子ドットの概要と分散技術
(2015年5月8日 10:30〜12:00)
これまでバイオの分野で応用されてきた量子ドットがディスプレイへ応用されるようになり、注目されている。本講演では、量子ドットの原理や製造方法、ディスプレイや照明での応用の現状などの概要を述べ、さらに多岐にわたる様々な分野への応用を可能にするための表面修飾、分散技術、コーティング技術について紹介する。
- 量子ドットの概要
- 量子ドットとは何か?
- 自己組織化量子ドット
- コロイド量子ドット
- コロイド量子ドットのバンドギャップ
- 材料との関係
- 粒径との関係
- 製造方法
- 応用の現状
- ディスプレイ
- 照明
- 量子ドットの表面修飾と分散技術
- 量子ドットの表面修飾技術
- 量子ドットの分散技術
- 非極性溶剤への分散
- 極性溶剤への分散
- 量子ドットの問題点と解決方法
- カドミウムフリー技術の現状
- 安定性
- 量子ドットの保護技術
- フィルム、キャピラリー
- コーティング技術
- 今後の展望
第2部 量子ドット蛍光体の合成・脱カドミウム化とその応用技術
(2015年5月8日 12:45〜14:15)
CdSeコロイダル量子ドットの合成の基本と、カドミウムフリー量子ドット蛍光体の設計および合成について講演者らの成果を中心に世界的な動向を含め、わかりやすく解説する。量子ドット蛍光体の開発にこれから従事する方から、数年程度の経験のある方を対象として、コロイダル量子ドットの特性、合成法、応用展開に向けた材料設計指針などの習得を目指す。
- 可視光発光材料としてのコロイダル量子ドット
- CdSe量子ドット
- 合成法の特徴
- 応用展開の状況
- 非カドミウム系材料;I-III-VI2およびIII-V化合物半導体
- I-III-VI2化合物半導体量子ドットの合成法とその特性
- I-III-VI2化合物半導体のポテンシャル
- 量子閉じ込め効果のシミュレーション
- I-III-VI2化合物半導体量子ドットへの適用
- (I-III-VI2) – (II-VI) 混晶半導体量子ドット
- CuInSe2量子ドット
- CuInS2量子ドット
- 欠陥由来の発光中心
- 励起子再結合発光
- コロイダル量子ドットの素子化技術
- 素子化における課題
- ブレークスルーとなる技術は何か?
第3部 コロイダルドットの形成機構と光・電子物性制御
(2015年5月8日 14:30〜16:00)
既存・新規のコロイダルドットの合成、その成長機構の検討と適正化、また作製されるドットの光・電子物性の評価の紹介
- ナノ結晶成長
- 液相合成とエピタキシャル成長
- サイズ制御
- 欠陥制御
- 表面・界面制御
- 成長過程観察
- 光物性
- バンド間遷移
- 不純物介在遷移
- 表面準位介在遷移
- 量子準位間遷移
- 電子物性
- トンネル伝導
- ヘテロ接触
- 分散構造体
- 素子プロトタイピング
- 構造設計による素子特性制御