日時
- 2015年4月21日 10時30分〜 2015年4月21日 16時00分
開催予定
プログラム
第1部 結晶異方性エッチングプロセスの基礎と応用
(2015年4月21日 10:30〜12:00)
- シリコンウェットエッチングの基礎
- ウェットプロセスとドライプロセスの比較
- 等方性・異方性エッチングの定義とそのメカニズム
- 拡散律速と反応律速
- MEMSにおけるエッチング事例紹介
- 結晶異方性エッチングの実際
- 3次元構造を実現する様々なアプローチ
- エッチストップ技術
- マスクコーナー補償パターン
- 機械的加工との組み合わせプロセス
- 基板両面からの加工
- エッチングの異方性を評価する方法
- ワゴンホイール
- 球面試験片
- エッチング形状の図式解法と計算機シミュレーション
- ウルフ・ジャコダイン法
- 市販シミュレーションシステム
- シリコンのエッチング液 (KOHとTMAH)
- エッチング液の添加物でエッチング特性を制御する
- プロセス条件の決め方とプロセスノウハウ
- エッチング液、温度、濃度
- エッチ深さの均一性、マイクロピラミッド防止
- 水晶の異方性エッチング
- 3次元構造を実現する様々なアプローチ
- まとめと質疑応答
- 個別質問・名刺交換
第2部 再現性・精度向上のためのMEMSエッチング液の選択
(2015年4月21日 12:45〜14:15)
- エッチングとは?
- ウエットエッチングとドライエッチングの違い
- ウエットエッチングの基礎
- 電子工業用薬剤
- ウエットエッチングの薬剤
- 各種材料のウエットエッチング技術
- アルミ・アルミ合金
- シリコン
- 透明導電膜
- 特殊機能性薬剤
- アルミ・アルミ合金テーパーエッチング剤
- アルミ防食シリコン異方性エッチング剤
- アルミ防食絶縁膜エッチング剤
- 質疑応答・個別質問・名刺交換
第3部 MEMSデバイスへのウェットエッチングプロセスの適用とその課題
(2015年4月21日 14:30〜16:00)
ウェットエッチング技術は、MEMSデバイス作成にあたり、長年に渡って検討されて来ている。 近年は、DRIEに代表されるドライエッチング技術が主流になってきたと認識されているが、そのポテンシャルは、特に大量生産に対して未だ優位性を保有している。 実際のMEMSデバイスへの適用例、応用例を上げながら、その技術に対する優位性と課題を論じたい。
- はじめに
- MEMS市場動向
- MEMSで用いられるウェットプロセス
- MEMSデバイスへの適用例
- 加速度センサ
- フローセンサ
- RFSwitch
- Fluidic
- MEMSデバイスへの最新応用例と課題
- MEMSマイクロフォン
- まとめ
- 質疑応答・個別質問・名刺交換
会場
受講料
- 1名様: 55,000円(税別) / 60,500円(税込)
- 複数名: 50,000円(税別) / 55,000円(税込)
複数名同時受講割引について
- 2名様以上でお申込みの場合、
1名あたり 50,000円(税別) / 54,000円(税込) で受講いただけます。- 1名様でお申し込みの場合 : 1名で 55,000円(税別) / 59,400円(税込)
- 2名様でお申し込みの場合 : 2名で 100,000円(税別) / 108,000円(税込)
- 3名様でお申し込みの場合 : 3名で 150,000円(税別) / 162,000円(税込)
- 同一法人内による複数名同時申込みのみ適用いたします。
- 受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
- 他の割引は併用できません。