有機TFTの室温印刷形成技術とインク材料の低温焼成対応、高導電化技術

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会場 開催

本セミナーでは、有機TFTのキャリア移動度が上がらない原因と、精細化と室温印刷を同時に達成するプロセス技術について詳解いたします。

日時

開催予定

プログラム

第1部 オフセット印刷による塗布成膜可能な材料インクの開発

(2015年5月11日 10:30〜12:00)

 反転オフセット印刷は、通常の印刷法では実現できない微細線と高品質な画線を形成できる印刷法であり、印刷TFTのPE技術として再度注目を集めている。本講演では、反転オフセット印刷法の原理・特徴を解説し、TFT形成用の材料インクの開発および高精細TFTの印刷形成事例を交え、本印刷法のPE技術としての可能性及び今後の課題を紹介する。

  1. 反転オフセット印刷法の原理・特徴
  2. TFT形成用の材料インクの開発
    1. 背景
    2. 解決するべき技術課題
    3. 開発品の性能
  3. 高精細TFTの印刷形成事例
  4. 本印刷法のPE技術としての可能性及び今後の課題

第2部 有機トランジスタの特性制限要因と高性能化のためのアプローチ

(2015年5月11日 12:45〜14:15)

 有機トランジスタの性能を高めるためには、有機半導体材料の分子設計による アプローチと作製プロセスや素子構造によるアプローチが両輪となって研究を進める必要がある。本公演では有機トランジスタにおいて何が特性を低下させているかを解説し、それに対する素子作製技術からのアプローチを紹介する。

  1. 有機薄膜トランジスタ研究の概況
    1. フレキシブルエレクトロニクスの展望
    2. 有機トランジスタに対する期待
  2. 有機薄膜トランジスタの特性支配要因と評価法
    1. キャリア注入障壁
    2. キャリア移動度
    3. 多結晶膜における移動度制限要因
      (ペンタセンによるケーススタディ)
      1. 結晶ドメイン境界におけるバリア
      2. 結晶ドメイン内のキャリア移動度
      3. バンドゆらぎ
      4. ドメイン境界におけるキャリア移動度
  3. 作製技術による高性能化の試み
    1. 結晶配向制御によるキャリア注入特性の改善
    2. 縦型構造による高出力有機トランジスタ

第3部 完全印刷プロセスによる有機TFTの製造技術、性能、課題

(2015年5月11日 14:30〜16:00)

 高精度な印刷技術を用いて、簡便な溶液プロセスで製造できる有機TFTを紹介します。印刷を用いた基本的な製造技術から、あらゆる材料の表面に形成可能な室温TFT製造技術、5um以下のチャネル長を持つ短チャネル印刷TFTといった最新の成果まで詳細に解説します。

  1. 印刷エレクトロニクスによるTFT作製
  2. 完全印刷プロセスによる有機TFT作製技術
  3. 室温で印刷する有機TFT
  4. 完全印刷プロセスによる短チャネル有機TFT
  5. 今後の展望

会場

株式会社 技術情報協会
141-0031 東京都 品川区 西五反田2-29-5
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受講料

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