飛行時間型二次イオン質量分析 (TOF-SIMS) 法は、無機微量元素とともに有機物の化学構造情報が同時に得られるユニークな表面分析法である。近年は、クラスターイオンビーム技術の導入により、有機物の高感度分析が可能になったほか、深さ方向分析の能力が飛躍的に向上した。著しい進歩を遂げているTOF-SIMSについて、最新の測定・解析技術の実際と応用事例を紹介する。
- 表面分析法の特徴
- 表面分析法の種類
- 空間分解能でみた表面分析法の特徴
- 各種質量分析法の比較
- 表面分析法による機能材料評価の特徴
- TOF-SIMS法の原理と特徴
- 二次イオン質量分析 (SIMS) 法
- カスケードモデル
- 飛行時間型分析器
- 一次イオン源
- スパッタイオン源
- TOF-SIMS法の特徴
- クラスターイオンスパッタリングの原理と特徴
- クラスターイオン源
- スパイクモデル
- 単原子イオンとクラスターイオンの比較
- ガスクラスターイオン
- TOF-SIMSによる深さ方向分析の特徴
- TOF-SIMS試料のサンプリングとハンドリング
- TOF-SIMS測定試料の形状
- ビニール袋、プラスティック容器の問題点
- サンプリングと保管のための清浄容器
- 粘着テープと固定ペーストによる試料固定
- 粉末試料、断面試料、ファーバー試料のハンドリング
- TOF-SIMS測定と解析の実際
- TOF-SIMSの測定モード
- スペクトル測定
- 正イオンスペクトルと負イオンスペクトル
- マスピークの同定
- 同位体比マーカの利用
- データベースを利用した化合物の同定
- マップ測定
- レトロスペクティブな解析
- 微量金属分析
- 深さ方向分析
- 最新のTOF-SIMSの分析例
- セラミクス材料の分析例
- 半導体材料の分析例
- 半導体材料の表面汚染分析例
- 半導体デバイスの深さ方向分析例
- 有機半導体デバイスの深さ方向分析例
- 配線材料・電極の分析例
- 有機高分子材料の分析例
- 高分子材料の表面分析例
- 高分子材料の添加物分布分析例
- 高分子材料の3次元分析例
- 薬剤の分析例
- 生体試料の分析例