圧電MEMS用PZT薄膜の形成と評価、及びデバイス応用

チタン酸ジルコン酸鉛 (Pb (Zr,Ti) O3, PZT) 薄膜を用いた圧電MEMSデバイスは、インクジェットヘッド、ジャイロセンサなどが製品化されており、今後はRFスイッチ、振動発電素子、無線センサへの応用に向けた需要増大が予想されています。これに呼応するように、ファウンダリ事業も国内で立ち上がりつつあり、圧電MEMSデバイスは研究、開発から製品化までさまざまなフェーズで活況を呈しています。 　本セミナーでは、このような状況にある圧電MEMSについて、基礎事項から薄膜形成、評価方法、デバイスプロセス、応用展開事例までを網羅的に解説します。

1. MEMS・圧電薄膜・圧電MEMSデバイスの基礎事項
   1. 実用化されている圧電MEMSデバイス
   2. MEMSについて
   3. 圧電体について
   4. PZT薄膜の組成、結晶配向性と圧電特性
   5. 圧電MEMSデバイス研究開発のポイント
2. 圧電薄膜の形成と評価方法
   1. 様々なPZT薄膜形成方法
   2. 配向性制御
   3. ゾルゲル法による配向性PZT薄膜の形成
   4. PZT薄膜の圧電特性評価
3. 圧電MEMSデバイス作製プロセスと評価方法
   1. 圧電MEMSデバイスの作製プロセス
   2. アクチュエータ、センサ、振動発電特性の評価
   3. パルス電圧印加による高速ポーリング
4. 応用展開事例
   1. 光スキャナ
   2. マイクロ静電気センサ
   3. 無線センサデバイス
   4. ヒューマンインターフェースデバイス
5. 今後の課題と将来展望
• 質疑応答