本セミナーでは、IGBT,MOSFETの基本的な駆動方法から,スイッチング素子を使い切るための熱設計,高速スイッチング素子特有の実装方法,ノイズ対策など幅広く解説いたします。
パワーエレクトロニクスの基幹部品であるスイッチングデバイスMOSFETやIGBTの進化はめざましいものがある。特に近年、開発が急速に進んでいるSiCやGaNは、小型化、低損失化の切り札となりつつある。しかし、これらの高性能スイッチング素子は正しく使いこなさなければ、期待通りの効果は得られない。 本セミナーでは、IGBT,MOSFETの基本的な駆動方法から,スイッチング素子を使い切るための熱設計,高速スイッチング素子特有の実装方法,ノイズ対策など幅広く講演する。また,SiCやGaNを使った最新の研究開発事例も紹介する。