本セミナーでは、金属スピントロニクス材料の基礎物理、開発研究の現状と将来展望について詳解いたします。
日時
- 2014年11月7日 13時00分〜 2014年11月7日 16時30分
中止
プログラム
- 電気磁気効果
- MRAM (Magnetic Random Access Memory) :スピントロニクス
- 磁化の動的制御の駆動源、メモリ書き換え、磁化反転
- 電流磁界
- スピン偏極電流注入
- 電界 (電圧) 制御
- 局在スピン系、遍歴スピン系
- 磁気異方性、スピン軌道相互作用、磁気双極子-双極子相互作用
- 磁性の電界制御
- 希薄磁性半導体の電界効果
- 磁気異方性:界面磁気異方性
- 金属磁性体の保磁力における電界効果
- 電界駆動によるスピンダイナミクス制御
- 磁化反転制御
- 強磁性転移
- 磁性金属系と希薄磁性半導体系
- 電界 (電圧) 効果の増強化
- 高電界の基礎物理
- 新奇素子構造
会場
受講料
- 1名様: 43,000円(税別) / 47,300円(税込)
- 複数名: 57,000円(税別) / 62,700円(税込)
割引特典について
- 複数名 同時受講:
1口 57,000円(税別) / 61,560円(税込) (3名まで受講可能)