本セミナーではHigh-k膜の基礎から解説し、高誘電率化のための材料設計、閾値シフトの原因と制御、Ge熱酸化機構と制御、SiC熱酸化機構と制御について詳解いたします。
日時
- 2014年7月28日 13時00分〜 2014年7月28日 16時30分
中止
プログラム
かつてSi上の熱酸化の緻密な制御によって支えられてきたゲート絶縁膜技術は、高誘電率ゲート絶縁膜 (High-k膜) の導入によって複雑化している。本講演ではHigh-k膜の基礎的な理解と、その導入に伴って新たに生じる諸現象について解説する。また、ゲート絶縁膜形成プロセスはCMOS用の高移動度チャネルとなるGeや、パワーMOSFET用のSiCにおいて重要な役割を担っている。これら2つの新たなMOS界面について、その特性制御のための技術の展開を紹介する。
- High-k膜の基礎物性と誘電率の制御
- High-k膜に要求される物性
- 誘電率の起源,高誘電率化のための材料設計
- 元素ドーピングによるHigh-k膜の物性制御
- High-k膜導入による閾値シフト
- MOSキャパシタのフラットバンド電圧シフト
- 界面ダイポール効果によるフラットバンド電圧シフトとその機構の理解
- 熱酸化膜形成プロセスの新展開
- Ge熱酸化機構の理解に基づくMOS界面特性制御と高移動度MOSFETの実現
- SiCパワーMOSFETのためのMOS界面形成技術
- 質疑応答
会場
受講料
- 1名様: 38,000円(税別) / 41,800円(税込)
- 複数名: 20,000円(税別) / 22,000円(税込)
複数名同時受講の割引特典について
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