太陽光発電や風力発電などの創エネルギー、ハイブリッドカー/電気自動車などのCO2削減、エアコン用インバーターや産業用インバーターなどの省エネが益々重要になっている中、その中核を担う、パワーエレクトロニクス、それを支えるパワーデバイスに関して最新の動向を説明するとともに、次世代のIGBTやSiC-MOSなどの特長を活かすためのパッケージ技術・実装技術 (小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化) に関して詳細に説明する。
- パワー半導体の種類と適用分野
- パワー半導体とは?
- パワー半導体の動作原理と適用回路例
- パワー半導体の適用分野とアプリケーション例
- 最新パワーデバイスの動向
- SJ-MOS
- IGBT
- RB-IGBT
- SiCデバイス
- パワーモジュールのパッケージ技術、実装技術
- パワーモジュールパッケージの種類と動向
- パワーモジュールパッケージ技術の重要な要素技術と課題
小型化・高放熱化・高耐熱化・高信頼度化
- EV/HEV用パワーモジュールの小型・軽量化技術
- SiCデバイスのモジュール技術
- SiCデバイスモジュール技術の課題
小型化、高温化、高信頼度化など
- パワーモジュールにおける最新CAE技術とまとめ
- パワーモジュール開発におけるCAE技術適用の考え方
- 放熱、熱・応力、振動シミュレーション例
- まとめと今後に向けて